Datasheet 2MBI200U2A-060-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 200 А, 600 В, NPT — Даташит

Купить 2MBI200U2A-060-50 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI200U2A-060-50 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 2.45V, 660W, 600V, Module
ChipWorker Весь мир	2MBI200U2A-060-50 Fuji	5 148 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2MBI200U2A-060-50DS Fujitsu	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	2MBI200U2A-060-50 Fujitsu	по запросу	Купить
727GS Весь мир	2MBI200U2A-060-50 Fuji Electric	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 200 А, 600 В, NPT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No. :
: :
IGBT module 2MBI200U2A-060 MS5F5616
Oct. 30 '03 Oct. 30 '03

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
• Рассеиваемая мощность: 660 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Current Ic @ Vce Sat: 200 А
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 34 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 92 мм
• Fall Time tf: 480 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M232
• Рассеиваемая мощность максимальная: 660 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 400 нс
• Способ монтажа: Screw
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI200U2A06050, 2MBI200U2A 060 50