Datasheet 2MBI200U4H-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 200 А, M234 — Даташит

Купить 2MBI200U4H-120-50 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 1040000mW 7Pin
ChipWorker Весь мир	2MBI200U4H-120-50 Fuji	11 422 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2MBI200U4H120-50 Fuji	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	2MBI200U4H-120-50	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	2MBI200U4H-120-50	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 200 А, M234

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
IGBT MODULE
2MBI200U4H-120 MS5F 6035

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
• Power Dissipation Max: 1.04 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI200U4H12050, 2MBI200U4H 120 50