Datasheet 2MBI225U4N-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 225 А, M254 — Даташит

Купить 2MBI225U4N-120-50 на РадиоЛоцман.Цены Транзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-11
ChipWorker Весь мир	2MBI225U4N-120-50 Fuji	9 124 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2MBI225U4N120-50 Fuji	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	2MBi225U4N-120-50 Fuji Electric	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	2MBI225U4N-120-50	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 225 А, M254

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
IGBT MODULE
(RoHS compliant product)

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 225 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
• Power Dissipation Max: 1.04 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 11

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI225U4N12050, 2MBI225U4N 120 50