Datasheet 2MBI300U4J-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 300 А, M250 — Даташит

Купить 2MBI300U4J-120-50 на РадиоЛоцман.Цены Транзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-19
ChipWorker Весь мир	2MBI300U4J-120-50 Fuji	10 524 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	2MBI300U4J-120-50	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	2MBI300U4J-120-50	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	2MBI300U4J-120-50	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 300 А, M250

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: IGBT Module
(RoHS compliant product)
: 2MBI300U4J-120-50 :

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 300 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
• Power Dissipation Max: 1.385 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 22

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI300U4J12050, 2MBI300U4J 120 50