Datasheet 2MBI400U2B-060-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 400 А, 600 В, NPT — Даташит
Наименование модели: 2MBI400U2B-060-50
7 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI400U2B-060-50 IGBT Array & Module Transistor, Dual Pack, N Channel, 400A, 2.55V, 1.25kW, 600V, Module | |||
2MBI400U2B-060-50 Fuji | 9 754 ₽ | ||
2MBI400U2B060-50 | по запросу | ||
2MBI400U2B-060-50 | по запросу | ||
2MBI400U2B-060-50-M Fuji Electric | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 400 А, 600 В, NPT
Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.
No.
: : :
IGBT module
(RoHS compliant product)
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 400 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.55 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 кВт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
- Current Ic @ Vce Sat: 400 А
- Current Ic Continuous a Max: 400 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 45 мм
- Внешняя длина / высота: 30 мм
- Внешняя ширина: 92 мм
- Fall Time tf: 480 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: M233
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 кВт
- Pulsed Current Icm: 800 А
- Rise Time: 400 нс
- Способ монтажа: Screw
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI400U2B06050, 2MBI400U2B 060 50