Datasheet 2MBI75S-120 - Fuji Electric Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2MBI 75S-120
IGBT MODULE ( S-Series ) I Features
· NPT-Technology · Square SC SOA at 10 x IC · High Short Circuit Withstand-Capability · Small Temperature Dependence of the Turn-Off Switching Loss · Low Losses And Soft Switching
2-Pack IGBT 1200V 2x75A
I Outline Drawing

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 100 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Power Dissipation Max: 600 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• External Depth: 34 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 92 мм
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M232
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Вес: 0.18kg
• Current Ic @ Vce Sat: 75 А
• Current Ic Continuous a Max: 100 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 300 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation Voltage: 2.5kV
• Power Dissipation: 600 Вт
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulsed Current Icm: 200 А
• Rise Time: 600 нс
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI75S120, 2MBI75S 120