Datasheet 6MBI100U4B-120-50 - Fuji Electric Даташит 6-PACK IGBT, MODULE, 100 А, 1200 В — Даташит
Наименование модели: 6MBI100U4B-120-50
Транзистор IGBT, 6 Pack IGBT 100A 1200V 6MBi100U4B-120-50 | |||
6MBI100U4B-120-50 Fuji | 10 708 ₽ | ||
6MBI100U4B-120-50 Fuji | по запросу | ||
6MBI100U4B-120-50 Fujitsu | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: 6-PACK IGBT, MODULE, 100 А, 1200 В
Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.
No.
: : :
IGBT Module
(RoHS compliant product)
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 150 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
- Рассеиваемая мощность: 520 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 35
- Current Ic @ Vce Sat: 100 А
- Current Ic Continuous a Max: 150 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 62 мм
- Внешняя длина / высота: 20 мм
- Внешняя ширина: 122 мм
- Fall Time tf: 410 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Количество транзисторов: 6
- Тип корпуса: M633 NTC
- Рассеиваемая мощность максимальная: 520 Вт
- Pulsed Current Icm: 300 А
- Rise Time: 320 нс
- Способ монтажа: Screw
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
Варианты написания:
6MBI100U4B12050, 6MBI100U4B 120 50