Datasheet 6MBI150U4B-120-50 - Fuji Electric Даташит 6-PACK IGBT, MODULE, 150 А, 1200 В — Даташит

Купить 6MBI150U4B-120-50 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, M633, MODULE-35
ChipWorker Весь мир	6MBI150U4B-120-50 Fuji	36 414 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	6MBI150U4B120-50 Fujitsu	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	6MBI150U4B-120-50	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	6MBI150U4B-120-50 Fuji Electric	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: 6-PACK IGBT, MODULE, 150 А, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
IGBT Module
(RoHS compliant product)

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Рассеиваемая мощность: 735 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 35
• Current Ic @ Vce Sat: 150 А
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 62 мм
• Внешняя длина / высота: 20 мм
• Внешняя ширина: 122 мм
• Fall Time tf: 410 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: M633 NTC
• Рассеиваемая мощность максимальная: 735 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 320 нс
• Способ монтажа: Screw
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

Варианты написания:

6MBI150U4B12050, 6MBI150U4B 120 50