Datasheet 6MBI50S-120-50 - Fuji Electric Даташит 6-PACK IGBT MODULE 50 А 1200 В NPT — Даташит

Купить 6MBI50S-120-50 на РадиоЛоцман.Цены Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 6 Pack, 75A, 2.65V, 360W, 1.2kV, Module, 17Pins
ChipWorker Весь мир	6MBI50S-120-50 Fuji	6 410 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	6MBI50S-120-50	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	6MBI50S-120-50 Fuji Electric	по запросу	Купить
727GS Весь мир	6MBI50S-120-50 Fuji Electric	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: 6-PACK IGBT MODULE 50 А 1200 В NPT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
IGBT Module 6MBI50S-120-50 MS5F 6174
(RoHS compliant product)

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 75 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.65 В
• Power Dissipation Max: 360 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 17
• External Depth: 45 мм
• Внешняя длина / высота: 20 мм
• Внешняя ширина: 107 мм
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: M623
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic @ Vce Sat: 50 А
• Current Ic Continuous a Max: 75 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 450 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation Voltage: 2.5kV
• Power Dissipation: 360 Вт
• Power Dissipation Pd: 360 Вт
• Pulsed Current Icm: 150 А
• Rise Time: 350 нс
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

Варианты написания:

6MBI50S12050, 6MBI50S 120 50