Datasheet 6MBI75S-120-50 - Fuji Electric Даташит 6-PACK IGBT MODULE 75 А 1200 В NPT — Даташит
Наименование модели: 6MBI75S-120-50
IGBT Module | |||
| 6MBI75S-120-50 | по запросу | ||
| 6MBI75S-120-50 Fujitsu | по запросу | ||
| 6MBI75S-120-50 Fuji | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: 6-PACK IGBT MODULE 75 А 1200 В NPT
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IGBT MODULE
(RoHS compliant product)
6MBI75S-120-50 MS5F 6104
Apr.
26 `05
K.Muramatsu
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 75 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 21
- External Depth: 62 мм
- Внешняя длина / высота: 20 мм
- Внешняя ширина: 122 мм
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Количество транзисторов: 6
- Тип корпуса: M626
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Current Ic @ Vce Sat: 75 А
- Current Ic Continuous a Max: 100 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 450 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Isolation Voltage: 2.5kV
- Power Dissipation: 520 Вт
- Power Dissipation Pd: 520 Вт
- Pulsed Current Icm: 200 А
- Rise Time: 350 нс
- Voltage Vces: 1.2kV
RoHS: есть
Варианты написания:
6MBI75S12050, 6MBI75S 120 50
