Datasheet 6MBI75S-120-50 - Fuji Electric Даташит 6-PACK IGBT MODULE 75 А 1200 В NPT — Даташит

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: 6-PACK IGBT MODULE 75 А 1200 В NPT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGBT MODULE
(RoHS compliant product)
6MBI75S-120-50 MS5F 6104
Apr.

26 `05
K.Muramatsu

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 75 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 21
• External Depth: 62 мм
• Внешняя длина / высота: 20 мм
• Внешняя ширина: 122 мм
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: M626
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic @ Vce Sat: 75 А
• Current Ic Continuous a Max: 100 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 450 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation Voltage: 2.5kV
• Power Dissipation: 520 Вт
• Power Dissipation Pd: 520 Вт
• Pulsed Current Icm: 200 А
• Rise Time: 350 нс
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

Варианты написания:

6MBI75S12050, 6MBI75S 120 50