Источники питания KEEN SIDE

Datasheet 6MBI75U4B-120-50 - Fuji Electric Даташит 6-PACK IGBT, MODULE, 75 А, 1200 В — Даташит

Fuji Electric 6MBI75U4B-120-50

Наименование модели: 6MBI75U4B-120-50

Augswan
Весь мир
6MBI75U4B-120-50
Fuji Electric
по запросу
Acme Chip
Весь мир
6MBI75U4B-120-50
Fuji Electric
по запросу
Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера EVE в Компэл

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: 6-PACK IGBT, MODULE, 75 А, 1200 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
IGBT Module
(RoHS compliant product)

Спецификации:

  • Module Configuration: Six
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 100 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 390 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 35
  • Current Ic @ Vce Sat: 75 А
  • Current Ic Continuous a Max: 100 А
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 62 мм
  • Внешняя длина / высота: 20 мм
  • Внешняя ширина: 122 мм
  • Fall Time tf: 410 нс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Количество транзисторов: 6
  • Тип корпуса: M633 NTC
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 390 Вт
  • Pulsed Current Icm: 200 А
  • Rise Time: 320 нс
  • Способ монтажа: Screw
  • Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

Варианты написания:

6MBI75U4B12050, 6MBI75U4B 120 50

На английском языке: Datasheet 6MBI75U4B-120-50 - Fuji Electric 6-PACK IGBT, MODULE, 75 A, 1200 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России