Datasheet 7MBP25RA-120-55 - Fuji Electric Даташит IGBT, 7 PACK MOD, 1200 В, 25 А, P610 — Даташит
Наименование модели: 7MBP25RA-120-55
5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 7MBP25RA-120-55 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 25A, 2.6V, 198W, 1.2kV, Module | |||
7MBP25RA-120-55 Fuji | 11 580 ₽ | ||
7MBP25RA120-55 Fujitsu | по запросу | ||
7MBP25RA-120-55 Fuji Electric | по запросу | ||
7MBP25RA120-55 Fujitsu | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, 7 PACK MOD, 1200 В, 25 А, P610
Краткое содержание документа:
7MBP25RA120
IGBT-IPM R series
Features
· Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs · Low power loss and soft switching · Compatible with existing IPM-N series packages · High performance and high reliability IGBT with overheating protection · Higher reliability because of a big decrease in number of parts in built-in control circuit
1200V / 25A 7 in one-package
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 25 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
- Power Dissipation Max: 198 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Рабочий диапазон температрур: -20°C ...
+100°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 22
RoHS: есть
Варианты написания:
7MBP25RA12055, 7MBP25RA 120 55