Datasheet 7MBR50SB-120-50 - Fuji Electric Даташит PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50 А 1200 В NPT — Даташит

Купить 7MBR50SB-120-50 на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 8 поставщиков , FUJI ELECTRIC 7MBR50SB-120-50 IGBT Array & Module Transistor, SEMITRANS, N Channel, 75A, 2.7V, 360W, 1.2kV, Module
Maybo Весь мир	7MBR50SB120-50	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	7MBR50SB-120-50 Fuji Electric	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	7MBR50SB120-50 Fujitsu	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	7MBR50SB120-50 Fuji	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50 А 1200 В NPT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
Power Integrated Module
(RoHS compliant product)

Спецификации:

• Module Configuration: Seven
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 75 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Power Dissipation Max: 360 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 24
• External Depth: 62 мм
• Внешняя длина / высота: 20 мм
• Внешняя ширина: 122 мм
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 7
• Тип корпуса: M712
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic @ Vce Sat: 75 А
• Current Ic Continuous a Max: 75 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 450 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation Voltage: 2.5kV
• Power Dissipation: 360 Вт
• Power Dissipation Pd: 360 Вт
• Pulsed Current Icm: 150 А
• Rise Time: 350 нс
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

Варианты написания:

7MBR50SB12050, 7MBR50SB 120 50