Datasheet BSM100GD120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3 — Даташит

Купить BSM100GD120DN2 на РадиоЛоцман.Цены — от 10 143 до 24 349 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE
AllElco Electronics Весь мир	BSM100GD120DN2BOSA1 Infineon	10 143 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSM100GD120DN2 Infineon	16 103 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSM100GD120DN2 Infineon	22 043 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BSM100GD120DN2	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSM 100 GD 120 DN2
IGBT Power Module
· Solderable Power module · 3-phase full-bridge · Including fast free-wheel diodes · Package with insulated metal base plate Type BSM 100 GD 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C Power dissipation per IGBT TC = 25 °C Chip temperature Storage temperature Thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip case Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance Clearance DIN humidity category, DIN 40 040 IEC climatic category, DIN IEC 68-1 Tj Tstg RthJC RthJCD Vis Ptot 680 + 150 -40 ... + 125 0.182 0.36 2500 16 11 F 40 / 125 / 56 sec Vac mm K/W °C ICpuls 300 200 W VGE IC 150 100 Symbol VCE VCGR 1200 ± 20 A Values 1200 Unit V VCE IC Package ECONOPACK 3 Ordering Code C67070-A2517-A67
1200V 150A
1

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• DC Collector Current: 150 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Power Dissipation Max: 680 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
• Корпус транзистора: Econopack 3
• Количество выводов: 39
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: Econopack 3
• Способ монтажа: Solder
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 100 А
• Current Temperature: 80°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Power Dissipation: 680 Вт
• Power Dissipation Pd: 680 Вт
• Pulsed Current Icm: 200 А
• Voltage Vce Sat Typ: 2.5 В
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть