OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet BSM100GD120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3 — Даташит

Infineon BSM100GD120DN2

Наименование модели: BSM100GD120DN2

11 предложений от 11 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE
AliExpress
Весь мир
Новый оригинальный модуль BSM50GD120DN2 BSM50GX120DN2 BSM75GD120DN2 BSM75GD120DLC BSM100GD120DN2 BSM100GD120DLC
5 944 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BSM100GD120DN2
Infineon
24 396 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BSM100GD120DN2
по запросу
BSM100GD120DN2(DLC)
Infineon
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSM 100 GD 120 DN2
IGBT Power Module
· Solderable Power module · 3-phase full-bridge · Including fast free-wheel diodes · Package with insulated metal base plate Type BSM 100 GD 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C Power dissipation per IGBT TC = 25 °C Chip temperature Storage temperature Thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip case Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance Clearance DIN humidity category, DIN 40 040 IEC climatic category, DIN IEC 68-1 Tj Tstg RthJC RthJCD Vis Ptot 680 + 150 -40 ... + 125 0.182 0.36 2500 16 11 F 40 / 125 / 56 sec Vac mm K/W °C ICpuls 300 200 W VGE IC 150 100 Symbol VCE VCGR 1200 ± 20 A Values 1200 Unit V VCE IC Package ECONOPACK 3 Ordering Code C67070-A2517-A67
1200V 150A
1

Спецификации:

  • Module Configuration: Six
  • DC Collector Current: 150 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
  • Power Dissipation Max: 680 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
  • Корпус транзистора: Econopack 3
  • Количество выводов: 39
  • Количество транзисторов: 6
  • Тип корпуса: Econopack 3
  • Способ монтажа: Solder
  • Тип транзистора:
  • Current Ic Continuous a Max: 100 А
  • Current Temperature: 80°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Power Dissipation: 680 Вт
  • Power Dissipation Pd: 680 Вт
  • Pulsed Current Icm: 200 А
  • Voltage Vce Sat Typ: 2.5 В
  • Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSM100GD120DN2 - Infineon IGBT MODULE, 1200 V, ECONOPACK3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России