HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BSM10GD120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3 — Даташит

Наименование модели: BSM10GD120DN2

20 предложений от 17 поставщиков
БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 15 А, 3.2 В, 80 Вт, 125 °C, EconoPACK
AliExpress
Весь мир
BSM35GD120DN2 BSM10GD120DN2 BSM10GD120DN2E3224(6) новый модуль IGBT, бесплатная доставка
4 755 ₽
BSM10GD120DN2BOSA1
Infineon
5 073 ₽
BSM10GD120DN2BOSA1
Infineon
от 18 264 ₽
LifeElectronics
Россия
BSM10GD120DN2E
Infineon
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSM 10 GD 120 DN2
IGBT Power Module
· Power module · 3-phase full-bridge · Including fast free-wheel diodes · Package with insulated metal base plate Type BSM 10 GD 120 DN2 BSM 10 GD120DN2E3224 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C Power dissipation per IGBT TC = 25 °C Chip temperature Storage temperature Thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip case Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance Clearance DIN humidity category, DIN 40 040 IEC climatic category, DIN IEC 68-1 Tj Tstg RthJC RthJCD Vis Ptot 80 + 150 -40 ... + 125 1.52 2 2500 16 11 F 40 / 125 / 56 sec Vac mm K/W °C ICpuls 30 20 W VGE IC 15 10 Symbol VCE VCGR 1200 ± 20 A Values 1200 Unit V VCE IC Package ECONOPACK 2 ECONOPACK 2K Ordering Code C67076-A2513-A67 C67070-A2513-A67
1200V 15A 1200V 15A
1

Спецификации:

  • Module Configuration: Six
  • DC Collector Current: 15 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.2 В
  • Power Dissipation Max: 80 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
  • Корпус транзистора: Econopack 3
  • Количество выводов: 17
  • Количество транзисторов: 6
  • Тип корпуса: Econopack 3
  • Способ монтажа: Solder
  • Тип транзистора:
  • Current Ic Continuous a Max: 15 А
  • Current Temperature: 80°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Power Dissipation: 80 Вт
  • Power Dissipation Pd: 80 Вт
  • Pulsed Current Icm: 30 А
  • Voltage Vce Sat Typ: 2.7 В
  • Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSM10GD120DN2 - Infineon IGBT MODULE, 1200 V, ECONOPACK3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России