KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet BSM50GD120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3 — Даташит

Infineon BSM50GD120DN2

Наименование модели: BSM50GD120DN2

30 предложений от 22 поставщиков
БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 72 А, 3 В, 350 Вт, 125 °C, EconoPACK
ЗУМ-СМД
Россия
BSM50GD120DN2
Infineon
3 111 ₽
AliExpress
Весь мир
BSM15GD120DN2 BSM25GD120DN2 BSM35GD120DN2 BSM50GD120DN2 BSM25GD120DLC bsm25gd120dn2e3224 новый оригинальный модуль питания IGBT
3 350 ₽
Utmel
Весь мир
BSM50GD120DN2G
Infineon
от 3 653 ₽
МосЧип
Россия
BSM50GD120DN2(6)
Siemens
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSM 50 GD 120 DN2
IGBT Power Module
· Power module · 3-phase full-bridge · Including fast free-wheel diodes · Package with insulated metal base plate Type BSM 50 GD 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C Power dissipation per IGBT TC = 25 °C Chip temperature Storage temperature Thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip case Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance Clearance DIN humidity category, DIN 40 040 IEC climatic category, DIN IEC 68-1 Tj Tstg RthJC RthJCD Vis Ptot 350 + 150 -40 ... + 125 0.35 0.7 2500 16 11 F 40 / 125 / 56 sec Vac mm K/W °C ICpuls 144 100 W VGE IC 72 50 Symbol VCE VCGR 1200 ± 20 A Values 1200 Unit V VCE IC Package ECONOPACK 2K Ordering Code C67076-A2514-A67
1200V 72A
1

Спецификации:

  • Module Configuration: Six
  • DC Collector Current: 72 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
  • Power Dissipation Max: 350 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
  • Корпус транзистора: Econopack 3
  • Количество выводов: 17
  • Количество транзисторов: 6
  • Тип корпуса: Econopack 3
  • Способ монтажа: Solder
  • Тип транзистора:
  • Current Ic Continuous a Max: 50 А
  • Current Temperature: 80°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Power Dissipation: 350 Вт
  • Power Dissipation Pd: 350 Вт
  • Pulsed Current Icm: 100 А
  • Voltage Vce Sat Typ: 2.5 В
  • Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSM50GD120DN2 - Infineon IGBT MODULE, 1200 V, ECONOPACK3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России