Источники питания KEEN SIDE

Datasheet DF1000R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM — Даташит

Infineon DF1000R17IE4

Наименование модели: DF1000R17IE4

21 предложений от 14 поставщиков
IGBT MODULE 1700V 6250W / IGBT Module Single 1700 V 6250 W Chassis Mount Module
ЧипСити
Россия
DF1000R17IE4
Infineon
37 752 ₽
Эиком
Россия
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon
от 86 602 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
DF1000R17IE4D_B2 - Infineon Technologies
Infineon
по запросу
LifeElectronics
Россия
DF1000R17IE4
Infineon
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF1000R17IE4
PrimePACKTM3 Modul und NTC PrimePACKTM3 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

  • Module Configuration: Single
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 1000 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 12
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 6.25 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • DAVICO - D 25-10
  • TE Connectivity - 0-0160170-0

На английском языке: Datasheet DF1000R17IE4 - Infineon IGBT, HI PO CHOP, 1700 V, 1000 A, PRIM

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка