Datasheet DF1400R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 1400 А — Даташит

Infineon DF1400R12IP4D

Наименование модели: DF1400R12IP4D

Купить DF1400R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 123 836 до 7 141 324 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4kA 7700mW 12Pin PRIME3-1 Tray
ЧипСити Россия	DF1400R12IP4D Infineon	123 836 ₽
AiPCBA Весь мир	DF1400R12IP4D Infineon	130 299 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	DF1400R12IP4D	7 141 324 ₽
Acme Chip Весь мир	DF1400R12IP4D Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 1400 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF1400R12IP4D
PrimePACKTM3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grцЯerer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACKTM3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode
( ) * + ,

Спецификации:

Module Configuration: Single
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 1400 А
Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 12
Рассеиваемая мощность максимальная: 7.7 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

DAVICO - D 25-10
TE Connectivity - 0-0160170-0