Datasheet DF650R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP — Даташит

Купить DF650R17IE4 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 396 до 80 339 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, INFINEON DF650R17IE4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 650A, 2V, 4.15kW, 1.7kV, Module
T-electron Россия и страны СНГ	DF650R17IE4BOSA1 Infineon	27 203 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	DF650R17IE4BOSA1 Infineon	от 65 545 ₽	Купить
ЭИК Россия	DF650R17IE4BOSA1 Infineon	от 67 885 ₽	Купить
МосЧип Россия	DF650R17IE4 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF650R17IE4
PrimePACKTM2 Modul und NTC PrimePACKTM2 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 650 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Power Dissipation Max: 4.15 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 10

RoHS: есть