Datasheet DF650R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP — Даташит

Купить DF650R17IE4 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 600 до 80 339 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули
AllElco Electronics Весь мир	DF650R17IE4BOSA1 Infineon	12 600 ₽	Купить
ЧипСити Россия	DF650R17IE4 Infineon	27 654 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	DF650R17IE4BOSA1 Infineon	38 094 ₽	Купить
Элитан Россия	DF650R17IE4BOSA1 Infineon	80 339 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF650R17IE4
PrimePACKTM2 Modul und NTC PrimePACKTM2 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 650 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Power Dissipation Max: 4.15 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 10

RoHS: есть