Datasheet DF900R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А — Даташит

Купить DF900R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 31 130 до 85 073 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков PrimePACK?„?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr?¶??erer Emitter Controlled 4 Diode
ЧипСити Россия	DF900R12IP4D Infineon	75 554 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	DF900R12IP4D Infineon	79 497 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	DF900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	DF900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF900R12IP4D
PrimePACKTM2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grцЯerer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACKTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode
) * + , -

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 900 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 10
• Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0