Datasheet F475R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, POW, счетверенный WITH NTC, 600 В, 75 А — Даташит

Infineon F475R06W1E3

Наименование модели: F475R06W1E3

Купить F475R06W1E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 055 до 7 210 ₽ 35 предложений от 18 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A
T-electron Россия и страны СНГ	F475R06W1E3BOMA1 Infineon	2 113 ₽
Элитан Россия	F475R06W1E3BOMA1 Infineon	5 371 ₽
ТМ Электроникс Россия	F475R06W1E3BOMA1 Infineon	от 6 038 ₽
ТаймЧипс Россия	F4-75R06W1E3 Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, POW, счетверенный WITH NTC, 600 В, 75 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!" !" #$%&' #$%&' !" !" ! + ! (( ( " ! ! & & ! ) ! " !* & ! ! ! !* &
'()* + ' ,( -./ + 0%1 2 ,(34 + % 1 5 6 1 7 8 6 ,9 ; $ 7< ,, 1 7 8 ,= , !=' = $ ; ,B ,B ,5 , 6 $8 ; 8 = 6 6 ,C 5 8 '()DEF 6 8 5 1 , ,1 : 9 ,, 1 ,= , !@= =
= 67 >
8
?

Спецификации:

Module Configuration: Quad
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 75 А
Collector Emitter Voltage Vces: 1.45 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 15
Рассеиваемая мощность максимальная: 275 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Infineon - F475R12MS4