Datasheet FD1000R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM — Даташит

Купить FD1000R17IE4 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 660 до 110 896 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули
ChipWorker Весь мир	FD1000R17IE4 Infineon	38 759 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FD1000R17IE4D_B2 Infineon	47 085 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FD1000R17IE4BOSA2 Infineon	88 471 ₽	Купить
Maybo Весь мир	FD1000R17IE4BOSA2 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FD1000R17IE4
PrimePACKTM3 Modul und NTC PrimePACKTM3 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 1000 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 12
• Рассеиваемая мощность максимальная: 6.25 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0