Datasheet FD1400R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 1400 А — Даташит
Наименование модели: FD1400R12IP4D
![]() 10 предложений от 9 поставщиков PrimePACK3 Modul mit Trench/Fieldstop 1GBT4, groberer Emitter Controlled 4 Diode | |||
FD1400R12IP4D Infineon | 43 146 ₽ | ||
FD1400R12IP4D Infineon | 104 254 ₽ | ||
FD1400R12IP4D - Infineon Technologies Infineon | по запросу | ||
FD1400R12IP4D Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 1400 А
Спецификации:
- Module Configuration: Single
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 1400 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 12
- Рассеиваемая мощность максимальная: 7.7 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0