Datasheet FD650R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP — Даташит

Купить FD650R17IE4 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 017 до 35 060 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A
ЧипСити Россия	FD650R17IE4D_B2 Infineon	32 957 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FD650R17IE4D_B2 Infineon	35 060 ₽	Купить
727GS Весь мир	FD650R17IE4D_B2 Infineon	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	FD650R17IE4 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FD650R17IE4
PrimePACKTM2 Modul und NTC PrimePACKTM2 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 650 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Power Dissipation Max: 4.15 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 10

RoHS: есть