Datasheet FD900R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А — Даташит

Купить FD900R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 32 641 до 87 123 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900A, 1.7V, 5.1kW, 1.2kV, Module
Кремний Россия и страны СНГ	FD900R12IP4D - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FD900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FD900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	FD900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!"#$ !"#$ ( ) * + ,
%% + %
& ' () * & ' *
" "
(-./ 0 1- 234 0 7 8 , 8 9 9 * * 7 , 8

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 900 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 10
• Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0