Datasheet FD900R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А — Даташит

Купить FD900R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 31 130 до 98 398 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900A, 1.7V, 5.1kW, 1.2kV, Module
ChipWorker Весь мир	FD900R12IP4D Infineon	31 130 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FD900R12IP4D - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FD900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	FD900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!"#$ !"#$ ( ) * + ,
%% + %
& ' () * & ' *
" "
(-./ 0 1- 234 0 7 8 , 8 9 9 * * 7 , 8

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 900 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 10
• Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0