Datasheet FF1200R17KP4_B2 - Infineon Даташит IGBT, HP, сдвоенный MOD, 1700 В, 1200 А — Даташит
Наименование модели: FF1200R17KP4_B2
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1700A 10Pin IHM130-1 | |||
FF1200R17KP4_B2 Infineon | 85 260 ₽ | ||
FF1200R17KP4_B2 Infineon | 92 807 ₽ | ||
FF1200R17KP4_B2 Infineon | по запросу | ||
FF1200R17KP4_B2 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, HP, сдвоенный MOD, 1700 В, 1200 А
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
() * ) () * 0 1 / 2 + , .
+ /, + - ,! + - ,!
FF1200R17KP4_B2
. + 3
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 1200 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 5
- Рассеиваемая мощность максимальная: 6.25 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0