Datasheet FF300R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит

Купить FF300R12KE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 86 до 38 013 ₽ 48 предложений от 26 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 440 А, 1.7 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module
ЧипСити Россия	FF300R12KE3HOSA1 Infineon	9 966 ₽	Купить
Промэлектроника Россия и страны СНГ	FF300R12KE3HOSA1 Infineon	15 704 ₽	Купить
DIP8.RU Россия и страны ТС	FF300R12KE3HOSA1 Infineon	от 18 377 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FF300R12KE3_B2 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF300R12KE3
%&' ( )*+ %- ( 2 *+3 %&' ( 0) *+ %- ( )*+3 %&' ( 0) *+
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• DC Collector Current: 440 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
• Power Dissipation Max: 1.45 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Корпус транзистора: Econopack 3
• Количество выводов: 7
• Альтернативный тип корпуса: M62a
• Тип корпуса: Econopack 3
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 300 А
• Current Temperature: 80°C
• Fall Time tf: 0.13Вµs
• Power Dissipation: 1.45 кВт
• Power Dissipation Pd: 1.45 кВт
• Pulsed Current Icm: 600 А
• Rise Time: 0.09Вµs
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть