Datasheet FF650R17IE4D_B2 - Infineon Даташит IGBT, H/B NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEPA — Даташит
Наименование модели: FF650R17IE4D_B2
![]() 14 предложений от 12 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A | |||
FF650R17IE4D_B2 | от 45 944 ₽ | ||
FF650R17IE4D_B2 Infineon | 112 152 ₽ | ||
FF650R17IE4D_B2 Infineon | по запросу | ||
FF650R17IE4D_B2 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, H/B NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEPA
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules PrimePACKTM2 Modul und NTC PrimePACKTM2 module and NTC
! " # $ %
FF650R17IE4D_B2
!&'( ) * ! +& ,-.
) /0 1 % +&23 ) 4
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 650 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 10
- Рассеиваемая мощность максимальная: 4.15 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0