Datasheet FF650R17IE4D_B2 - Infineon Даташит IGBT, H/B NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEPA — Даташит

Infineon FF650R17IE4D_B2

Наименование модели: FF650R17IE4D_B2

Купить FF650R17IE4D_B2 на РадиоЛоцман.Цены — от 38 257 до 112 152 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A
Компонентс Ру Россия	FF650R17IE4D_B2 Infineon	83 916 ₽
Элитан Россия	FF650R17IE4D_B2 Infineon	112 152 ₽
Maybo Весь мир	2SP0320T2A0C-FF650R17IE4D_B2 Power Integrations	по запросу
Augswan Весь мир	FF650R17IE4D_B2 Infineon	по запросу

Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, H/B NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEPA

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules PrimePACKTM2 Modul und NTC PrimePACKTM2 module and NTC
! " # $ %
FF650R17IE4D_B2
!&'( ) * ! +& ,-.

) /0 1 % +&23 ) 4

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 650 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 10
Рассеиваемая мощность максимальная: 4.15 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

DAVICO - D 25-10
TE Connectivity - 0-0160170-0