Datasheet FF800R17KP4_B2 - Infineon Даташит IGBT, сдвоенный MOD, 1700 В, 800 А — Даташит
Наименование модели: FF800R17KP4_B2
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A | |||
FF800R17KP4_B2 Infineon | 68 582 ₽ | ||
FF800R17KP4_B2 Infineon | 174 367 ₽ | ||
2SB315A-FF800R17KP4_B2 Power Integrations | по запросу | ||
FF800R17KP4_B2 - Infineon Technologies Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, сдвоенный MOD, 1700 В, 800 А
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules IHM-A Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4 IHM-A module with soft-switching Trench-IGBT4
FF800R17KP4_B2
Vorlдufige Daten / preliminary data
#$%& ' $ ()* ' +
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 800 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 10
- Рассеиваемая мощность максимальная: 4.85 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0