Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet FF900R12IE4 - Infineon Даташит IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA — Даташит

Infineon FF900R12IE4

Наименование модели: FF900R12IE4

18 предложений от 16 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A
Maybo
Весь мир
FF900R12IE4PBOSA1
Infineon
39 565 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
FF900R12IE4V
от 48 211 ₽
Эиком
Россия
FF900R12IE4BOSA1
Infineon
78 019 ₽
Элитан
Россия
FF900R12IE4BOSA1
Infineon
92 031 ₽
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FF900R12IE4
PrimePACKTM2 Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC PrimePACKTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
" # $ % &

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 900 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 10
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • DAVICO - D 25-10
  • TE Connectivity - 0-0160170-0

На английском языке: Datasheet FF900R12IE4 - Infineon IGBT, H/B NTC, 1200 V, 900 A, PRIMEPA

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка