Datasheet FF900R12IE4 - Infineon Даташит IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA — Даташит

Наименование модели: FF900R12IE4
 Купить FF900R12IE4 на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 92 031 ₽18 предложений от 16 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A  | |||
| FF900R12IE4PBOSA1 Infineon  | 39 565 ₽ | ||
| FF900R12IE4V | от 48 211 ₽ | ||
| FF900R12IE4BOSA1 Infineon  | 78 019 ₽ | ||
| FF900R12IE4BOSA1 Infineon  | 92 031 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FF900R12IE4
PrimePACKTM2 Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC PrimePACKTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
" # $ % &
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
 - Полярность транзистора: N Channel
 - DC Collector Current: 900 А
 - Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
 - Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
 - Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: Module
 - Количество выводов: 10
 - Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт
 
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
 - TE Connectivity - 0-0160170-0
 

Купить FF900R12IE4 на РадиоЛоцман.Цены




