Datasheet FF900R12IP4 - Infineon Даташит IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA — Даташит
Наименование модели: FF900R12IP4
![]() 19 предложений от 17 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | |||
FF900R12IP4BOSA2 Infineon | 50 315 ₽ | ||
FF900R12IP4BOSA2 Infineon | 51 406 ₽ | ||
FF900R12IP4 Infineon | 76 636 ₽ | ||
FF900R12IP4D | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FF900R12IP4
PrimePACKTM2 Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC PrimePACKTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
# $ % & ' !
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 900 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 10
- Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0