Datasheet FF900R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA — Даташит

Купить FF900R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 39 508 до 5 255 014 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10Pin PRIME2 Tray
ChipWorker Весь мир	FF900R12IP4D Infineon	39 508 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FF900R12IP4D Infineon	95 887 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FF900R12IP4D Infineon	100 891 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FF900R12IP4D Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, H/B NTC, 1200 В, 900 А, PRIMEPA

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FF900R12IP4D
PrimePACKTM2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grцЯerer Emitter Controlled 4 Diode und NTC PrimePACKTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode and NTC
" # $ % &

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 900 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 10
• Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0