Datasheet FP100R12KT4_B11 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 100 А, ECONOPIM — Даташит
Наименование модели: FP100R12KT4_B11
![]() 26 предложений от 18 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 100 А, 1.75 В, 515 Вт | |||
FP100R12KT4 | от 12 280 ₽ | ||
FP100R12KT4BOSA1 Infineon | 20 849 ₽ | ||
FP100R12KT4BOSA1 Infineon | 25 429 ₽ | ||
FP100R12KT4_B11 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 100 А, ECONOPIM
Краткое содержание документа:
! !
"# "#
$$ ( $ !
! %
%
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 100 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
- Power Dissipation Max: 515 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: EconoPIM
- Количество выводов: 35
RoHS: есть