Datasheet FP10R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 600 В, 10 А, EASYPIM — Даташит
Наименование модели: FP10R06W1E3
![]() 30 предложений от 15 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 10 А, 1.55 В, 68 Вт, 175 °C | |||
FP10R06W1E3 Infineon | 1 197 ₽ | ||
FP10R06W1E3BOMA1 Infineon | 2 539 ₽ | ||
FP10R06W1E3BOMA1 Infineon | от 3 886 ₽ | ||
FP10R06W1E3BOMA1 Infineon | 20 753 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POWER, 600 В, 10 А, EASYPIM
Краткое содержание документа:
! ! ) *
" " + ,
## ' #
$ $
%
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 10 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.55 В
- Power Dissipation Max: 68 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 23
RoHS: есть