Datasheet FP10R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP10R12W1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 289 до 9 003 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 10 А, 1.85 В, 150 °C, Module
Зенер Россия и страны ТС	FP10R12W1T4_B3	от 1 949 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	FP10R12W1T4BOMA1	2 947 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	FP10R12W1T4BOMA1 Infineon	3 026 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FP10R12W1T4_B3 Infineon	от 4 142 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP10R12W1T4
EasyPIMTM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIMTM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 10 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 105 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть