Datasheet FP10R12W1T4_B11 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP10R12W1T4_B11 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 289 до 9 003 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 10 А, 1.85 В, 150 °C, Module
ЧипСити Россия	FP10R12W1T4 Infineon	1 289 ₽	Купить
Элитан Россия	FP10R12W1T4BOMA1 Infineon	1 796 ₽	Купить
Maybo Весь мир	FP10R12W1T4_B3 Infineon	3 192 ₽	Купить
Эиком Россия	FP10R12W1T4BOMA1 Infineon	от 4 725 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP10R12W1T4_B11
Vorlдufige Daten / preliminary data
VS» I ТУС I Iзў PЪУЪ V·S» min.

TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C VS ЩИЪ V·SЪМ Q· R·НТЪ CНюЩ CШюЩ IS» I·S» TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C tБ УТ 0,045 0,045 0,045 0,044 0,061 0,063 0,18 0,245 0,275 0,165 0,215 0,225 0,90 1,35 1,55 0,55 0,80 0,87 35 1,25 1,15 5,2 1200 10 20 20 105 +/-20 typ. 1,85 2,15 2,25 5,8 0,09 0,0 0,60 0,024 1,0 400 max. 2,25 V A A A W V TЭО = 25°C T = 100°C, TЭО = 175°C T = 25°C, TЭО = 175°C t« = 1 ms T = 25°C, TЭО = 175°C

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 10 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 105 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть