Источники питания KEEN SIDE

Datasheet FP10R12W1T4_B11 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM — Даташит

Infineon FP10R12W1T4_B11

Наименование модели: FP10R12W1T4_B11

22 предложений от 15 поставщиков
IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 10A, 3-хфазный, выпрямитель, чоппер, датчик температуры
FP10R12W1T4
Infineon
1 079 ₽
Akcel
Весь мир
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon
от 1 113 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FP10R12W1T4 - Infineon Technologies
Infineon
по запросу
FP10R12W1T4_B11
Infineon
по запросу
Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера EVE в Компэл

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP10R12W1T4_B11
Vorlдufige Daten / preliminary data
VS» I ТУС I Iзў PЪУЪ V·S» min.

TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C VS ЩИЪ V·SЪМ Q· R·НТЪ CНюЩ CШюЩ IS» I·S» TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C TЭО = 25°C TЭО = 125°C TЭО = 150°C tБ УТ 0,045 0,045 0,045 0,044 0,061 0,063 0,18 0,245 0,275 0,165 0,215 0,225 0,90 1,35 1,55 0,55 0,80 0,87 35 1,25 1,15 5,2 1200 10 20 20 105 +/-20 typ. 1,85 2,15 2,25 5,8 0,09 0,0 0,60 0,024 1,0 400 max. 2,25 V A A A W V TЭО = 25°C T = 100°C, TЭО = 175°C T = 25°C, TЭО = 175°C t« = 1 ms T = 25°C, TЭО = 175°C

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 10 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
  • Power Dissipation Max: 105 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 23

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FP10R12W1T4_B11 - Infineon IGBT, LOW POW, 1200 V, 10 A, EASYPIM

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России