Datasheet FP10R12W1T4_B3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM — Даташит
Наименование модели: FP10R12W1T4_B3
Купить FP10R12W1T4_B3 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 079 до 7 093 ₽ 35 предложений от 19 поставщиков IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 10A, 3-хфазный, выпрямитель, чоппер, датчик температуры | |||
FP10R12W1T4 Infineon | 1 079 ₽ | ||
FP10R12W1T4 Infineon | 1 316 ₽ | ||
FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon | от 7 093 ₽ | ||
FP10R12W1T4_B3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM
Краткое содержание документа:
! ! " " ( # # ) $ $ * ! ! + %% ) % ! " " & & ' ! ( & ( &
(,-.
/ 0, 123 /
( 4 + 0,56 /
4
7 *: * *
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 10 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Power Dissipation Max: 105 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 20
RoHS: есть