Datasheet FP10R12W1T4_B3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP10R12W1T4_B3 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 289 до 9 003 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 10 А, 1.85 В, 150 °C, Module
Microfind Россия	FP10R12W1T4 Infineon	2 047 ₽	Купить
Maybo Весь мир	FP10R12W1T4_B3 Infineon	3 192 ₽	Купить
Эиком Россия	FP10R12W1T4BOMA1 Infineon	от 4 725 ₽	Купить
727GS Весь мир	FP10R12W1T4_B3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! ! " " ( # # ) $ $ * ! ! + %% ) % ! " " & & ' ! ( & ( &
(,-.

/ 0, 123 /
( 4 + 0,56 /
4
7 *: * *

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 10 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 105 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 20

RoHS: есть