Datasheet FP15R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP15R12W1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 006 до 8 485 ₽ 35 предложений от 18 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 15 А, 1.85 В, 150 °C, Module
Софт-Логистик Россия	FP15R12W1T4BOMA1 Infineon	3 323 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FP15R12W1T4 Infineon	от 5 268 ₽	Купить
Эиком Россия	FP15R12W1T4BOMA1 Infineon	от 5 814 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	FP15R12W1T4_B3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP15R12W1T4
EasyPIMTM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIMTM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 15 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 130 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть