Datasheet FP15R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM — Даташит
Наименование модели: FP15R12W1T4
![]() 31 предложений от 17 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 15 А, 1.85 В, 150 °C, Module | |||
FP15R12W1T4 Infineon | 1 961 ₽ | ||
FP15R12W1T4 Infineon | 1 987 ₽ | ||
FP15R12W1T4PBPSA1 Infineon | по запросу | ||
FP15R12W1T4_B3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP15R12W1T4
EasyPIMTM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIMTM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 15 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Power Dissipation Max: 130 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 23
RoHS: есть