Datasheet FP15R12W1T4_B3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP15R12W1T4_B3 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 020 до 8 017 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 150 °C
T-electron Россия и страны СНГ	FP15R12W1T4BOMA1 Infineon	2 148 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FP15R12W1T4_B3 Infineon	2 544 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FP15R12W1T4_B3 Infineon	от 5 373 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FP15R12W1T4BOMA1 Infineon	от 8 017 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! ! " " ' # # ( $ $ ) ! ! * %% ) % ! " " & & ' ! ( & ( &
'+,- .

' /+ 012 . !3 * /+45 .
3
6 *9 * *
7 3 8 7 )

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 15 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 130 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 20

RoHS: есть