Datasheet FP15R12W1T4_B3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM — Даташит
Наименование модели: FP15R12W1T4_B3
Купить FP15R12W1T4_B3 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 708 до 9 200 ₽ 36 предложений от 18 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 150 °C | |||
FP06R12W1T4 FP10R12W1T4 FP15R12W1T4 FP15R12W1T4-B11 fp15r12w1t 4 _ B11 fp15r12w1t 4 _ B11 Бесплатная доставка, новый и оригинальный модуль | 1 708 ₽ | ||
FP15R12W1T4 Infineon | 2 053 ₽ | ||
FP15R12W1T4PBPSA1 Infineon | от 8 575 ₽ | ||
FP15R12W1T4_B11 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 15 А, EASYPIM
Краткое содержание документа:
! ! " " ' # # ( $ $ ) ! ! * %% ) % ! " " & & ' ! ( & ( &
'+,- .
' /+ 012 . !3 * /+45 .
3
6 *9 * *
7 3 8 7 )
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 15 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Power Dissipation Max: 130 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 20
RoHS: есть