Datasheet FP25R12U1T4 - Infineon Даташит IGBT, низкий POW NTC, 1200 В, 25 А, PIM — Даташит

Купить FP25R12U1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 3 075 до 25 612 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, INFINEON FP25R12U1T4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 25A, 1.85V, 190W, 1.2kV, Module
ChipWorker Весь мир	FP25R12U1T4 Infineon	4 274 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	FP25R12U1T4BPSA1 Infineon	от 6 364 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FP25R12U1T4BPSA1 Infineon	8 389 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	FP25R12U1T4 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, низкий POW NTC, 1200 В, 25 А, PIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP25R12U1T4
SmartPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
' ( ) *

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 25 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 190 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Infineon - FP35R12U1T4