Datasheet FP25R12U1T4 - Infineon Даташит IGBT, низкий POW NTC, 1200 В, 25 А, PIM — Даташит
Наименование модели: FP25R12U1T4
Купить FP25R12U1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 5 806 до 65 869 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков 1200V SmartPIM 1 IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and PressFIT Contact T... | |||
FP25R12U1T4BPSA1 Infineon | 5 806 ₽ | ||
FP25R12U1T4BPSA1 Infineon | 6 503 ₽ | ||
FP25R12U1T4BPSA1 Infineon | 10 592 ₽ | ||
FP25R12U1T4 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, низкий POW NTC, 1200 В, 25 А, PIM
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP25R12U1T4
SmartPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
' ( ) *
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 25 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 190 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - FP35R12U1T4