Datasheet FP25R12W2T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 25 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP25R12W2T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 367 до 10 743 ₽ 36 предложений от 21 поставщиков EasyPIMTM 2B 1200V PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material....
ЧипСити Россия	FP25R12W2T4P Infineon	367 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FP25R12W2T4P Infineon	386 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	FP25R12W2T4 Infineon	2 084 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	FP25R12W2T4 IGBT Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 25 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP25R12W2T4
TЭО = 25°C T = 100°C, TЭО = 175°C T = 25°C, TЭО = 175°C t« = 1 ms T = 25°C, TЭО = 175°C
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 25 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 175 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть