Datasheet FP25R12W2T4_B11 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 25 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP25R12W2T4_B11 на РадиоЛоцман.Цены — от 167 до 11 854 ₽ 46 предложений от 24 поставщиков EasyPIMTM 2B 1200V PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material....
Зенер Россия и страны ТС	FP25R12W2T4_B11	от 3 944 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FP25R12W2T4P Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FP25R12W2T4_B11	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	FP25R12W2T4_B11 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 25 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
EasyPIMTM2B Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode EasyPIMTM2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
FP25R12W2T4_B11
$ %&' ( )* %, ( * 1 %&' ( )* %, ( )* 1 %&' ( )* # :( # )*

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 25 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 175 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть