Datasheet FP30R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 600 В, 30 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP30R06W1E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.26 до 5 164 ₽ 28 предложений от 16 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A
ChipWorker Весь мир	FP30R06W1E3_B11 Infineon	1 532 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	FP30R06W1E3BOMA1 Infineon	2 043 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FP30R06W1E3BOMA1 Infineon	от 3 398 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FP30R06W1E3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POWER, 600 В, 30 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! ! ( )
" " * +
## ' #
$ $
%

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 30 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.55 В
• Power Dissipation Max: 115 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть