Datasheet FP30R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 600 В, 30 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP30R06W1E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.16 до 4 797 ₽ 26 предложений от 15 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A
ChipWorker Весь мир	FP30R06W1E3_B11 Infineon	1 485 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FP30R06W1E3	от 2 492 ₽	Купить
Элитан Россия	FP30R06W1E3BOMA1 Infineon	3 258 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FP30R06W1E3 Infineon	от 4 234 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POWER, 600 В, 30 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! ! ( )
" " * +
## ' #
$ $
%

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 30 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.55 В
• Power Dissipation Max: 115 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть