Datasheet FP35R12KT4 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 35 А, ECONOPIM — Даташит
Наименование модели: FP35R12KT4
![]() 24 предложений от 17 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | |||
FP35R12KT4 Infineon | 4 479 ₽ | ||
FP35R12KT4BOSA1 Infineon | 7 382 ₽ | ||
FP35R12KT4BPSA1 Infineon | от 11 255 ₽ | ||
FP35R12KT4 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 35 А, ECONOPIM
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules EconoPIMTM2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode EconoPIMTM2 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
FP35R12KT4
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
!" " / /* 6 : : # " + ; !" " # # # " # # # " $%& ' ()* $, ' 7' "
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 35 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: EconoPIM
- Количество выводов: 23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 210 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - FP35R12KT4_B15