Datasheet FP35R12KT4_B15 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 35 А, ECONOPIM — Даташит

Купить FP35R12KT4_B15 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 879 до 12 534 ₽ 24 предложений от 17 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
ЧипСити Россия	FP35R12KT4 Infineon	3 292 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FP35R12KT4BPSA1 Infineon	от 11 189 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FP35R12KT4BPSA1	от 12 534 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	FP35R12KT4 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 35 А, ECONOPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12KT4_B15
EconoPIMTM2 Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode EconoPIMTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
' ( ) * +

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 35 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: EconoPIM
• Количество выводов: 23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 210 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Infineon - FP35R12KT4