Datasheet FP35R12KT4_B15 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 35 А, ECONOPIM — Даташит

Наименование модели: FP35R12KT4_B15
 Купить FP35R12KT4_B15 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 857 до 11 162 ₽24 предложений от 17 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE  | |||
| FP35R12KT4BPSA1 | от 4 772 ₽ | ||
| FP35R12KT4BOSA1 | 7 333 ₽ | ||
| FP35R12KT4BOSA1 Infineon  | 7 382 ₽ | ||
| FP35R12KT4PBPSA1 Infineon  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 35 А, ECONOPIM
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12KT4_B15
EconoPIMTM2 Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode EconoPIMTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
' ( ) * +
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
 - DC Collector Current: 35 А
 - Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
 - Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
 - Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: EconoPIM
 - Количество выводов: 23
 - Рассеиваемая мощность максимальная: 210 Вт
 
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - FP35R12KT4
 

Купить FP35R12KT4_B15 на РадиоЛоцман.Цены




