Datasheet FP35R12W2T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 1200 В, 35 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP35R12W2T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 212 до 11 038 ₽ 34 предложений от 19 поставщиков EasyPIMTM 2B 1200V PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material....
AiPCBA Весь мир	FP35R12W2T4_B11 Infineon	1 212 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FP35R12W2T4_B11 Infineon	1 228 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon	2 530 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	FP35R12W2T4BOMA1 Infineon	от 6 641 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POWER, 1200 В, 35 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12W2T4
EasyPIMTM Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIMTM module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 35 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 215 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть