Datasheet FP35R12W2T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 1200 В, 35 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP35R12W2T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 542 до 10 891 ₽ 40 предложений от 22 поставщиков Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215000mW 23-Pin EASY2B-1 Tray / EasyPIM? module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4...
ЧипСити Россия	FP35R12W2T4_B11 Infineon	542 ₽	Купить
Промэлектроника Россия и страны СНГ	FP35R12W2T4BOMA1 Infineon	4 185 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FP35R12W2T4BOMA1 Infineon	от 5 014 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FP35R12W2T4P Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POWER, 1200 В, 35 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12W2T4
EasyPIMTM Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIMTM module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 35 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 215 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть