HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FP40R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM — Даташит

Infineon FP40R12KE3

Наименование модели: FP40R12KE3

28 предложений от 20 поставщиков
БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 55 А, 2.3 В, 200 Вт, 125 °C
AliExpress
Весь мир
FP40R12KE3 FP40R12KT3 FP25R12KT3 FP25R12KE3 BSM50GP60 BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM15GP120-B2 IGBT
2 162 ₽
Utmel
Весь мир
FP40R12KE3G
от 2 313 ₽
AiPCBA
Весь мир
FP40R12KE3BOSA1
Infineon
9 534 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
FP40R12KE3BOSA1
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP40R12KE3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hцchstzulдssige Werte / Maximum rated values

Спецификации:

  • Module Configuration: Seven
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 55 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
  • Power Dissipation Max: 200 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +125°C

  • Корпус транзистора: EconoPIM
  • Количество выводов: 24
  • Тип корпуса: Econopim
  • Способ монтажа: Solder
  • Тип транзистора:
  • Current Ic Continuous a Max: 55 А
  • Forward Current If(AV): 40 А
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 315 А
  • Power Dissipation: 200 Вт
  • Power Dissipation Ptot Max: 200 Вт
  • Pulsed Current Icm: 80 А
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1600 В
  • Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FP40R12KE3 - Infineon IGBT MODULE, 1200 V, ECONOPIM

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России