Datasheet FP50R06W2E3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 600 В, 50 А, EASYPIM — Даташит

Купить FP50R06W2E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3 186 до 7 953 ₽ 24 предложений от 15 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A
Lixinc Electronics Весь мир	FP50R06W2E3BOMA1 Infineon	от 3 913 ₽	Купить
Эиком Россия	FP50R06W2E3BOMA1 Infineon	от 6 146 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FP50R06W2E3BOMA1 Infineon	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	FP50R06W2E3_B11 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POWER, 600 В, 50 А, EASYPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP50R06W2E3
EasyPIMTM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIMTM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
( ) * +

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.45 В
• Power Dissipation Max: 175 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23

RoHS: есть